Российские ученые получили материалы для создания элементов памяти будущего

Новые материалы для создания перспективных элементов памяти будущего, превосходящих флеш-память по различным характеристикам, были разработаны учеными Новосибирского госуниверситета.

Согласно информации от НГУ, эти материалы обещают превзойти флеш-память по количеству циклов перезаписи, емкости и скорости работы.

По словам представителей университета, современные технологии достигли своего предела в отношении флеш-памяти. Максимальные возможности по циклам перезаписи, продолжительности использования и объемам емкости уже достигнуты. Поэтому использование существующей технологии для увеличения характеристик памяти электронных устройств становится невозможным.

Разработка новых материалов для элементов памяти открывает новые перспективы в области электроники и информационных технологий. Эти материалы могут стать основой для создания более эффективных и мощных устройств, способных обрабатывать и хранить данные с высокой скоростью и надежностью.

Новый тип памяти, такой как мемристор, может стать ключом к преодолению ограничений, с которыми сталкиваются современные технологии. Мемристор отличается от других типов памяти возможностью значительного увеличения циклов перезаписи, что делает его более эффективным в использовании по сравнению с флеш-памятью. Исследования показывают, что у мемристоров время одного цикла перезаписи существенно сокращено до десятков наносекунд или даже пикосекунд.

Иван Юшков, младший научный сотрудник лаборатории функциональной диагностики низкоразмерных структур для наноэлектроники НГУ и аспирант Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, выделяет значимость мемристоров в современных технологиях. Он подчеркивает, что эти устройства могут революционизировать область хранения данных и обработки информации.

В свете быстрого развития информационных технологий, использование мемристоров может стать ключом к созданию более эффективных и компактных устройств, способных обеспечить высокую скорость и надежность работы.

Сибирские ученые, занимающиеся исследованиями в Новосибирском государственном университете (НГУ), объяснили, что оксид кремния является наиболее распространенным диэлектриком, который применяется при производстве различных микросхем. Кремний-германиевые стекла представляют собой комбинацию оксидов кремния и германия. Ранее исследования проводились по отдельности для оксидов кремния и германия, но сибирские ученые решили объединить свойства этих двух материалов. Благодаря этому, они первыми в мире обнаружили в этих соединениях мемристорный эффект, изучили их опто-электрические свойства и в настоящее время проводят исследования по процессам, происходящим в них во время протекания электрического тока.

Исследование германо-силикатных стекол с уникальным составом, которое пока никем не проводилось, представляет большой интерес для науки. Ученые выразили надежду на возможность создания современных элементов памяти из этого материала, которые будут превосходить флеш-память по ряду параметров, таких как количество циклов перезаписи, долговечность, эффективность и надежность.

Особое значение исследования заключается в том, что его результаты могут помочь определить параметры мемристора теоретически, без необходимости выращивания его наноструктуры. Это открывает новые перспективы для развития современных технологий памяти и устройств хранения данных. Возможность создания элементов памяти, превосходящих по характеристикам существующие, может значительно повлиять на развитие информационных технологий и компьютерной индустрии в целом.

Источник и фото - ria.ru